湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院劉淵教授團(tuán)隊(duì)使用范德華金屬集成法，成功展示了超短溝道垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管原型器件，其有效溝道長(zhǎng)度最短可小于 1 納米。
據(jù)報(bào)道，該研究成果為“后摩爾時(shí)代”半導(dǎo)體器件性能提升增添了希望。
IT之家了解到，日前，這一研究成果已發(fā)表在《自然?電子學(xué)》(Nature Electronics)雜志上。論文的第一作者為湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院博士生劉麗婷，劉淵教授為通訊作者。
關(guān)鍵詞： 湖南大學(xué) 晶體管 半導(dǎo)體器件 性能提升
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