西數(shù)：將在1XX層時代爆發(fā) 要做QLC閃存領(lǐng)導者

如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價格還沒有達到預期。對廠商來說，六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存，不過西數(shù)認為QLC閃存要到1XX層時才會爆發(fā)。

在參加富國銀行年度技術(shù)峰會的時候，西數(shù)技術(shù)與戰(zhàn)略總裁Siva Sivaram回答了分析師提問，在回應(yīng)如何看待QLC閃存的問題時，Siva Sivaram表示西數(shù)傳統(tǒng)上一直是先進閃存技術(shù)的領(lǐng)導者，首發(fā)了MLC及TLC閃存。

西數(shù)認為在升級到1XX層之后，QLC閃存就會變得更加重要了，而西數(shù)要做QLC閃存的領(lǐng)導者

對于QLC閃存，Siva Sivaram表示它正處于一個微妙的點，因為相比新一代TLC閃存它的收益不是那么大，不過。

簡單來說，西數(shù)認為目前96層堆棧的QLC閃存相比TLC閃存沒多少優(yōu)勢，無法發(fā)揮出成本及容量上的優(yōu)點，要等到堆棧層數(shù)更多，達到1XX層(通常是指128層)之后才會顯示出優(yōu)勢。

西數(shù)現(xiàn)在有消費級QLC閃存，也有針對企業(yè)級的QLC閃存，在他們看來QLC閃存更適合企業(yè)級用戶——這個也不意外，實際上QLC閃存首發(fā)就是針對數(shù)據(jù)中心市場的，其大容量低成本的優(yōu)勢適合替代HDD硬盤而非MLC、TLC閃存硬盤。

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