賽微電子與青州市簽署《合作協(xié)議》 擬在青州投資10億半導體制造項目

近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資 10 億元分期建設聚能國際 6-8 英寸硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目，總占地面積 30 畝，一期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5000 片 / 月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12000 片 / 月的生產(chǎn)能力，將為全球 GaN 產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟的技術支持和產(chǎn)能保障。

據(jù)了解，GaN(氮化鎵)屬于第三代半導體材料，第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于 2.3 電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

公司已于 2018 年 7 月在青島市嶗山區(qū)投資設立 “青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設計、開發(fā);已于 2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設立 “聚能晶源(青島)半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設的第三代半導體材料制造項目(一期)已于 2019 年 9 月達到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。作為公司 GaN 業(yè)務一級平臺公司，聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界領先團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝制造、器件設計等全產(chǎn)業(yè)鏈技術能力及儲備，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圓、GaN 功率器件及應用方面已形成系列產(chǎn)品并實現(xiàn)批量銷售。

關鍵詞： 賽微電子 青州 合作