縮小與三星差距 海力士將研發(fā)10nm以下工藝DRAM

SK 海力士是全球重要的存儲(chǔ)芯片制造商，他們?cè)谌ツ?10 月份同英特爾達(dá)成了協(xié)議，將以 90 億美元收購(gòu)英特爾大部分的 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，收購(gòu)之后就將超過日本的 Kioxia，成為僅次于三星的全球第二大 NAND 閃存制造商，并會(huì)縮小與三星的差距。

除了通過收購(gòu)擴(kuò)大規(guī)模、獲得知識(shí)產(chǎn)權(quán)及研發(fā)人員，SK 海力士也在致力于研發(fā)更先進(jìn)的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品。

韓國(guó)媒體的報(bào)道顯示，在 2021 年 IEEE(電氣電子工程師學(xué)會(huì))國(guó)際可靠性物理研討會(huì)上發(fā)表演講時(shí)，SK 海力士 CEO 李錫熙(Lee Seok-Hee)就表示，在未來(lái)十年，他們將致力于克服材料、結(jié)構(gòu)和可靠性方面的挑戰(zhàn)，開發(fā) 10nm 以下工藝的 DRAM 和 600 堆疊層的 NAND。

在報(bào)道中，韓國(guó)媒體表示，研發(fā) 10nm 以下工藝的 DRAM，要求 SK 海力士等半導(dǎo)體廠商，克服光刻技術(shù)方面的挑戰(zhàn)。

在 NAND 方面，SK 海力士已經(jīng)研發(fā)出了 176 層堆疊的 3D NAND。

關(guān)鍵詞： 三星 海力士 工藝