民德電子功率半導(dǎo)體賽道獲進展 新品SGT-MOSFET啟動量產(chǎn)工作

（CWW）4月11日，民德電子在互動易透露，今年最重點開拓的新產(chǎn)品分離柵低壓場效應(yīng)晶體管（SGT-MOSFET）產(chǎn)品工藝平臺開發(fā)成功，公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新產(chǎn)品開發(fā)獲得里程碑式進展，將與廣州粵芯立即啟動量產(chǎn)工作。

據(jù)了解，SGT-MOSFET產(chǎn)品主要應(yīng)用在儲能BMS電源輸出和電路保護、汽車電子等領(lǐng)域，市場需求旺盛。

參考同屬功率半導(dǎo)體行業(yè)的上市公司新潔能2021年年報，新潔能2021年收入14.98億元，其中SGT-MOSFET產(chǎn)品占比從2020年的31.69%提升至2021年的38.96%。且SGT-MOSFET產(chǎn)品為新潔能中低壓產(chǎn)品中替代國際一流廠商產(chǎn)品料號最多的產(chǎn)品工藝平臺，進口替代空間廣闊。

民德電子旗下的廣微集成聚焦功率半導(dǎo)體設(shè)計領(lǐng)域。2021年廣微集成收入7043萬，同比增長82%；凈利潤1078萬，同比增長649%；全年毛利率29.23%。廣微集成主要產(chǎn)品MOS場效應(yīng)二極管(MFER)全年銷量93347片(6英寸晶圓片)，同比增長32%。

4月6日披露的機構(gòu)調(diào)研中，民德電子表示，廣微集成2021年主要銷售的產(chǎn)品是MOS場效應(yīng)二極管，今年一季度該產(chǎn)品價格沒有發(fā)生變化，公司在手訂單仍較充足。

據(jù)了解，MOS場效應(yīng)二極管主要在深圳方正微電子代工(6英寸晶圓代工廠)，終端應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏接線盒、工業(yè)電機電源、網(wǎng)絡(luò)電源及手機快充等。

進入2022年，廣微集成研發(fā)的分離柵低壓場效應(yīng)晶體管(SGT-MOSFET)成為今年重點開發(fā)的新產(chǎn)品。民德電子相關(guān)人士介紹，SGT-MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域主要是在儲能端的BMS電源輸出和電路保護系統(tǒng)，是一款中低壓產(chǎn)品，覆蓋范圍從20-300V，產(chǎn)品在家用和風光發(fā)電等領(lǐng)域的儲能端以及汽車電子領(lǐng)域都可以廣泛應(yīng)用。

近期，民德電子的SGT-MOSFET已經(jīng)啟動量產(chǎn)。

4月11日，民德電子在互動易透露，公司今年最重點開拓的新產(chǎn)品（SGT-MOSFET），系在12英寸晶圓廠廣州粵芯開發(fā)代工。截止最新進展，SGT-MOSFET產(chǎn)品工程批驗證工作已完成，產(chǎn)品各項參數(shù)性能優(yōu)異，良率在99%以上，標志SGT-MOSFET產(chǎn)品工藝平臺開發(fā)成功，公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新產(chǎn)品開發(fā)獲得里程碑式進展。公司將與廣州粵芯立即啟動量產(chǎn)工作。

這次量產(chǎn)SGT-MOSFET新品的廣微集成，系民德電子兩年前的收購標的。2020年6月，民徳電子控股廣微集成，拓展至功率半導(dǎo)體設(shè)計領(lǐng)域，主要產(chǎn)品為20V-1700V全系列硅基功率器件。2021年9月，民德電子將對廣微集成的控股比例提升至83.51%，進一步加強了對廣微集成的掌控。

2022年1月，民德電子定增募資5億元，用于投資“碳化硅功率器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”和“適用于新型能源供給的高端溝槽型肖特基二極管產(chǎn)能的提升及技術(shù)改進項目”，進一步深化功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，為未來成長儲備關(guān)鍵技術(shù)。

民德電子在最新機構(gòu)調(diào)研中透露，廣微集成技術(shù)團隊在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品方面具有豐富的技術(shù)儲備，后續(xù)待公司參股建設(shè)的晶圓代工廠浙江廣芯微電子項目在明年建成投產(chǎn)后，會在供應(yīng)鏈自主可控的情況下，陸續(xù)推出包括IGBT、超級結(jié)MOS、碳化硅器件等新產(chǎn)品。同時，目前廣微集成產(chǎn)品以銷售晶圓片裸片給下游封裝廠為主，后續(xù)隨著新產(chǎn)能的增加，對于增量產(chǎn)能部分，也將逐步開拓終端客戶，提高產(chǎn)品銷售的毛利率。

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