國內(nèi)首款1.6Tb/s硅光芯片研制成功

近日，國家信息光電子創(chuàng)新中心、鵬城實(shí)驗(yàn)室、中國信息通信科技集團(tuán)光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、武漢光迅科技股份有限公司，在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越。

據(jù)介紹，研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器，每個通道可實(shí)現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉(zhuǎn)換，最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試，完成了單片容量高達(dá)8×200Gb/s光互連技術(shù)驗(yàn)證。

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