加快布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 寬禁帶半導(dǎo)體成重要發(fā)展方向

寬禁帶半導(dǎo)體即第三代半導(dǎo)體材料，包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等新興材料，最初其研究與開發(fā)主要用于滿足軍事和國防需求。寬禁帶半導(dǎo)體的帶隙大于硅半導(dǎo)體的 2.2e，能夠有效減小電子跨越的鴻溝，減少能源損耗，因此多應(yīng)有于節(jié)能領(lǐng)域，主要是功率器件。今年年初小米推出氮化鎵快充就是寬禁帶半導(dǎo)體的典型用例。

要讓寬禁帶半導(dǎo)體取代硅基，需要克服成本瓶頸，碳化硅和氮化鎵襯底成本過高，使得器件成本高于傳統(tǒng)硅基的 5 到 10 倍，是阻礙寬禁帶半導(dǎo)體普及的主要原因。不過，在技術(shù)和工藝的提升下，成本已接近硅基器件。

今年，在各省份的 “十四五”規(guī)劃建議稿中，紛紛提及加快布局第三代半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)。寬禁帶半導(dǎo)體成為 2020 年乃至往后幾年里中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向之一。

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