遭遇AMD威脅！英特爾CPU供應(yīng)短缺問題可能持續(xù)全年

據(jù)外媒報道，知名科技媒體DigiTimes日前發(fā)布最新報告，稱其預(yù)計英特爾的CPU供應(yīng)短缺問題將貫穿2020年全年，為此其許多合作伙伴可能改用AMD的同類產(chǎn)品。

這可能并不特別令人感到驚訝。英特爾之前承認自己陷入進退兩難的境地，其首席執(zhí)行官鮑勃·斯旺(Bob Swan)對他們目前的處境做出了非常坦率的解釋。然而，這確實意味著AMD將從英特爾手中蠶食更多的市場份額，因為原始設(shè)備制造商(OEM)和顯卡廠商(AIB)不得不改用AMD部件來維持銷量，因為英特爾的代工工廠正以最高產(chǎn)能運轉(zhuǎn)，但依然無法滿足需求。英特爾無法滿足的每一份芯片訂單，都意味著AMD獲得了新的市場份額。

即使英特爾的芯片溢價出貨也于事無補。在供不應(yīng)求的情況下，現(xiàn)在采取措施遏制溢價沒有任何意義。OEM/AIB廠商不得不將這些成本轉(zhuǎn)嫁給那些無論如何可能更喜歡選擇英特爾產(chǎn)品的消費者。如果有一件事我們可以肯定的話，那就是2020年將是攸關(guān)英特爾成敗的關(guān)鍵一年，該公司的情況要到2021年末才可能開始好轉(zhuǎn)。

英特爾目前正在努力的一件事是，從理論上講，7 nm工藝的進展應(yīng)該不會受到10 nm延遲的影響，因為這是個基于EUV光刻的獨立工藝，雖然它可能不會幫助英特爾重新保持領(lǐng)先地位，但應(yīng)該會在工藝技術(shù)方面創(chuàng)造公平的競爭環(huán)境。市場研究機構(gòu)Gartner的報告顯示，英特爾最近重新奪回了“世界第一代工企業(yè)”的桂冠。這是一個令人印象深刻的成就，顯示出他們的代工廠現(xiàn)在是多么龐大。

到目前為止我們所知道的是：第一款7 nm工藝產(chǎn)品將于2021年第四季度發(fā)布，英特爾首席執(zhí)行官鮑勃·斯旺(Bob Swan)解釋了10 nm工藝出了什么問題。 此外，斯旺也坦率地回答了一個最尖銳的問題，即英特爾是如何陷入CPU市場份額被AMD搶走、無法滿足需求的境地的，這與其一貫信奉的哲學(xué)理念形成了鮮明對比，即優(yōu)先處理錯誤，謹慎行事，始終擁有閑置的制造能力。

斯旺解釋稱：“我們之所以會陷入如今的困境中，實際上源于三方面的原因：第一，我們陷入困境的速度比我們預(yù)期的要快得多，2018年對CPU和服務(wù)器的需求增長也比我們預(yù)期的要快得多。請記住，我們進入2018年時預(yù)計增長幅度為10%，但實際上增長了21%，所以好消息是，在我們轉(zhuǎn)型為以數(shù)據(jù)為中心的公司的過程中，對我們產(chǎn)品的需求遠遠高于我們的預(yù)期。”

他繼續(xù)稱：“第二，我們占據(jù)了智能手機調(diào)制解調(diào)器100%的市場份額，我們決定在我們的晶圓廠建造它，因此我們承擔了更多的需求壓力。第三，雪上加霜的是，我們推出了10 nm工藝，當這種情況發(fā)生時，我們需要在上一代產(chǎn)品中增加越來越多的性能，這意味著有更多的內(nèi)核數(shù)量和更大的芯片尺寸。鑒于這三個因素——增長速度比我們想象的要快得多，內(nèi)部生產(chǎn)調(diào)制解調(diào)器以及延遲10 nm工藝，都導(dǎo)致我們沒有靈活的產(chǎn)能。”

雖然大部分都是舊消息，但這是英特爾首次就無法滿足需求的原因給出確鑿的理由，即它決定在內(nèi)部生產(chǎn)智能手機調(diào)制解調(diào)器，這反過來意味著他們無法專注于CPU方面的事情。這也是個相當合理的解釋，即為何英特爾甚至不能再滿足14納米的需求，而不得不求助于擴展22nm的產(chǎn)品。

當被特別要求解釋哪里出了問題時，斯旺坦率地回答說，他承認英特爾對自己擊敗行業(yè)標準的能力過于自信，并為此承擔了后果。以下是鮑勃給出的解釋，他稱之為“疤痕組織”。

斯旺說：“疤痕組織實際上從摩爾定律誕生之初就出現(xiàn)了。而摩爾定律已經(jīng)奏效了很長時間，從40nm過渡到22nm，然后從14nm過渡到10nm，我們發(fā)現(xiàn)，盡管物理方面變得越來越有挑戰(zhàn)性，但我們還是決定在性能方面為自己設(shè)定更高的標準。因此，22nm到14nm的過渡不是2倍的晶體管密度，而是2.4倍，這導(dǎo)致我們一路走來遭遇了許多坎坷，但它是有效的，這種工作給了我們信心。那么，在從14nm過渡到10nm時，我們?yōu)楹尾粚⒚芏忍岣叩?.7倍?在嘗試獲得越來越高的密度性能時，問題也就隨之出現(xiàn)。”

斯旺接著稱：“其次，我們不會像考慮7nm那樣嘗試進行2.4倍或2.7倍的密度增加，如你們所知，當我們考慮到5nm時，我們會將密度降至2倍，這與歷史趨勢一致。我還認為，關(guān)于10nm的挑戰(zhàn)中的另一個積極方面是，在此過程中，學(xué)會了如何讓14nm變得更好，我們有14+、14++，盡管已經(jīng)在同一個節(jié)點上工作了四年，現(xiàn)在芯片的性能隨著我們達到10nm工藝而不斷提高。”

隨著英特爾追逐7 nm工藝的2倍晶體管密度，并轉(zhuǎn)向EUV技術(shù)，該公司似乎已經(jīng)準備好在2021年第四季度推出首批7 nm產(chǎn)品(相當于臺積電的5 nm)。斯旺還進一步表示，他預(yù)計到2024年將實現(xiàn)5 nm工藝(相當于臺積電3 nm)。

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