廠商爭(zhēng)相角逐先進(jìn)封裝技術(shù) 芯片競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步升級(jí)

3D 封裝是一種立體封裝技術(shù)，在 X-Y 的二維封裝基礎(chǔ)之上向 z 軸延伸，也是為了突破摩爾定律瓶頸而誕生的一種新技術(shù)，在集成度、性能、功耗等方面有一定優(yōu)勢(shì)，設(shè)計(jì)自由度高，開發(fā)時(shí)間更短，也是各個(gè)芯片廠商爭(zhēng)相角逐的先進(jìn)封裝技術(shù)，在 2020 年競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步升級(jí)。

臺(tái)積電自 2018 年首度對(duì)外公布其系統(tǒng)整合單芯片多芯片 3D 堆疊技術(shù)，陸續(xù)推出 2.5D 高端封裝技術(shù) CoWoS 和扇出型晶圓技術(shù) InFo，搶占蘋果訂單。今年又針對(duì)先進(jìn)封裝打造晶圓級(jí)系統(tǒng)整合技術(shù)平臺(tái)(WLSI)，升級(jí)導(dǎo)線互連間距密度和系統(tǒng)尺寸，推出晶圓級(jí)封裝技術(shù)系統(tǒng)整合芯片(TSMC-SoIC)，能夠?qū)⑾冗M(jìn)的 SoC 與多階層、多功能芯片整合，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗、體積小的 3D IC 產(chǎn)品。

英特爾也于 2 年前首次展示其名為 “Foveros”的 3D 封裝技術(shù)，在今年架構(gòu)日上公布新進(jìn)展，即 “混合鍵合”技術(shù)(Hybrid bonding)，以替代傳統(tǒng)的 “熱壓鍵合”技術(shù)，加速實(shí)現(xiàn) 10 微米及以下的凸點(diǎn)間距，提供更好的互連密度、帶寬和更低的功率。

三星在今年對(duì)外宣布了全新的芯片封裝技術(shù) X-Cube3D 已經(jīng)可以投入使用，允許多枚芯片堆疊封裝，三星稱其能讓芯片擁有更強(qiáng)大的性能和更高的能效比。

關(guān)鍵詞： 芯片